20世纪90年代以来，随着异质结量子阱结构材料的开发及芯片器件制程工艺的成熟，超高亮度发光二极管（UHB-LED）迅速实现了产业化、商品化。在UHB-LED芯片制程中，切割是一个非常重要的环节。由于LED芯片的尺寸为微米级，因此对切割的精度要求很高。切割效果的好坏与产品质量密切相关。目前UHB-LED芯片切割技术主要有机械切割和激光切割两种。
2机械切割目前业界采用*广泛的切割方式是机械切割，又可分为砂轮切割及金刚刀划片两种。
2.1砂轮切割砂轮切割主要用于GaAs基超高亮LED芯片、GaP基普亮LED芯片的切割。以日本DISCO公司DAD321切割机为例，其切割砂轮的材质为合金，直径55mm，刀刃厚度20~25lum，刀刃长度550~ 600，um，刀刃上镶嵌的金刚石颗粒直径为0. 1~8m.金刚石粒径越小，切割质量越好，金刚石粒径越大，使用寿命越长。GaAs基LED选用粒径0.5m以下的砂轮可以达到较好的切割效果。
切割之前先将待切晶片贴在胶膜上，胶膜的作用是使晶片切穿后仍然粘住而不会丢失。然后将晶片连同胶膜一起放在切割机载片台上，通过吸气泵吸紧固定。设定好切割范围、切割深度、切割速度及晶粒尺寸等参数后就可以开始切割。切割时砂轮以30000r/min高速旋转，而载片台则以设定的速王长安，熊智斌，张少强，等。-SiNx：H薄膜对a-Si：H TFT阈值电压的影响。田建民，译。北京：电子工业出。北京：国防工业出版社，1999：214-216.张化福（1977―），男，山东新泰人，硕士研究生，主要从事平板显示方面的研究工作；祁康成（19*―），男，河南淅川人，博士，副教授，现从事薄膜晶体管、信息显示、光电探测等领域的研究工作。
